Gegenkonzept zu FB-DIMMs PDF Drucken E-Mail
Geschrieben von: Bokill   
Montag, den 23. Juli 2007 um 12:22 Uhr
AMD hat ein Konzept erarbeitet, womit sich die Speicherdichte auf Mainboards erhöhen kann, ohne gleich auf FB-DIMMs zurückzugreifen.

FB-DIMM ist ein Speicherstandard, der auf einen seriellen Speicher-Interconnect zum Chipsatz basiert. Das ist in so fern gut, weil die aktuellen seriellen Interconnects wie PCI-Express, HyperTransport, serial Rapid IO hohe Datenraten mit nur wenig Leiterbahnen versprechen. Der Vorteil ist, dass so deutlich höhere Speicherdichten pro Mainboard/Server möglich sind, gegenüber Mainboards mit DDR-, DDR2-, DDR3-Speicher.

FB-DIMM nutzt dafür einen Verbindungsstandard, der vielfach PCI-Express ähnelt.

1.amb-chip_nec 2.amb-diagramm_nec_pd720900 3.

Der Nachteil ist, dass durch den notwendigen Zwischenspeicher/Interfacewandler des AMB-Chips auf dem FB-DIMM-PCB und der Natur vom FB-DIMM Interconnect höhere Latenzen auftreten.

 

AMD erweitert das bisherige parallele DDR3-Speicherbuskonzept, indem nun zwischen zwei Speicherbänken ein gemeinsamer Pufferchip auf dem Mainboard verbaut wird, der die direkte Schnittstelle zum Chipsatz bildet. AMD nennt sein "BOB" Buffer on Board auch "G3MX".

Das ist zwar gut für die Speicher-Latenzen und auch für den maximal doppelt verbaubaren Speicher. Der Nachteil bleibt aber, dass der Vedrahtungsaufwand höher gegenüber den Leiterbahnen mit FB-DIMM-Speicher ist. Auch die maximale Ausbaustufe dieses externen Puffer-Konzeptes wird vermutlich limitierter sein, im Vergleich zu FB-DIMM mit seinem AMB-Chip.

Als Hersteller und Entwickler für diesen neuartigen Zwischenpuffer hat AMD IDT und die Inphi Corporation gewonnen (Presseerklärung). IDT fertigte bisher auch AMB-Chips und die Inphi Corporation (PDF) ist die Stammzelle vieler Patente und Vorschriften zum SD, DDR, DDR2 und DDR3-Standard. Inphi will für 2009 den "IN16KXMX G3 Memory Extender" ausliefern.

Der Inquirer beschreibt einen Konflikt von AMD mit Intel, weil Intel vor einem Jahr schon ein ähnliches Konzept vorstellte. AMD nennt sein ausgebautes DDR3-Konzept "BOB" Buffer on Board. Intel nannte sein alternatives Konzept "Microbuffers".

Der Streit erstaunt in vielfacher Sicht:

  • 1. Zum einen ist FB-DIMM im Vergleich doch recht günstig geworden, was man zu Zeiten von Rambus Speicher mit RD-RAM nicht sagen konnte.
  • 2. Hat das Patentaustauschabkommen zwischen AMD und Intel doch Lücken, so dass hier um Patente gerungen wird?
  • 3. Hat Intel tatsächlich auf einen Massenerfolg von FB-DIMM geglaubt? Wo doch selbst im Jahr 2007 im Desktop 4 GB RAM immer noch nicht selbstverständlich sind und zudem sehr schnelle DDR2/DDR3-RAM nachgefragt werden?
  • 4. FB-DIMM ist aber tatsächlich im Einsatz und zwar eben nicht nur auf Intel-Plattformen. Überall dort wo hohe Speicheraufkommen sind, bzw. zu vermuten sind, wird oder ist schon FB-DIMM im Einsatz. Sun beispielsweise hat für den Niagara 2 ein FB-DIMM Speicherinterface implementiert.
  • 5. AMD hatte auch FB-DIMM als Option im K10 vorgesehen. Bedeutet dies eine Abkehr und gar eine Vereinfachung des K10-Designs? Bedeutet dies statt einem (zukünftigen) FB-DIMM-Interface nun doch, dass AMD auf DDR3 und DDR2 setzt? Bis vor wenigen Tagen war es noch nicht klar, ob zukünftige K10-Kerne sowohl DDR2-, als auch DDR3-Speicher-Kontroller zugleich integriert haben werden.

MFG Bobo(2007/2008) Martin Bobowsky

Weiteres siehe den Inquirer: "Microbuffers explained to the common man".

Siehe auch:

"Gegenkonzept zu FB-DIMMs: Details zum G3MX "BOB"". 

Zuletzt aktualisiert am Samstag, den 23. Februar 2008 um 12:26 Uhr
 

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